M29W400FB55N3F vs M29W064FT70N3F השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W400FB55N3F מאת Micron Technology ו M29W064FT70N3F מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ פעיל
Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W400FB55N3F M29W064FT70N3F
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash NOR Flash
גודל זיכרון 4 Mbit —
ארגון 512K x8 / 256K x16 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16
ממשק Parallel (asynchronous) Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase, read
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Byte/Word Select BYTE# pin —
Block Architecture Boot block with hardware sector protection —
Program Suspend/Erase Suspend Supported —
מארז 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) 48-TSOP I
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Density — 64 Mbit
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Programming Method — Command set / data polling / toggle bit
Block Protection — Yes, with temporary unprotection
Product Longevity Program — No
Width — x8/x16
סטטוס RoHS — unknown

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר