M29W400FB55N3F vs M29W064FT70N3F So sánh

So sánh chi tiết song song của M29W400FB55N3F bằng Micron Technology và M29W064FT70N3F bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29W400FB55N3F M29W064FT70N3F
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash NOR Flash
Kích thước bộ nhớ 4 Mbit —
Tổ chức 512K x8 / 256K x16 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16
Giao diện Parallel (asynchronous) Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase, read
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Byte/Word Select BYTE# pin —
Block Architecture Boot block with hardware sector protection —
Program Suspend/Erase Suspend Supported —
Hộp 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) 48-TSOP I
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Density — 64 Mbit
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Programming Method — Command set / data polling / toggle bit
Block Protection — Yes, with temporary unprotection
Product Longevity Program — No
Width — x8/x16
Trạng thái RoHS — unknown

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá