MT29F4G08ABADAWP-IT:D vs MX30LF4G18AC-TI-T Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT29F4G08ABADAWP-IT:D tarafından Micron Technology ve MX30LF4G18AC-TI-T tarafından MacronixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
MT29F4G08ABADAWP-IT:D MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MT29F4G08ABADAWP-IT:D MX30LF4G18AC-TI-T
Marka Micron Technology Macronix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü FLASH - NAND (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
Bellek Boyutu 4 Gbit (512M x 8) —
Memory Organization 512M x 8 —
Arayüz Parallel (byte-wide, x8) Parallel (asynchronous), ONFI 1.0 compliant
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time (tRC) 25 ns 20 ns (typical)
ONFI Version ONFI 2.1 —
Paket / Kas 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm width) —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Page Size 2048 + 64 bytes (or 4096 + 128 bytes in ONFI 2.1) 2048 byte + 64 byte spare area
Block Size 64 pages x 4 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Planes per Die 2 —
Endurance (P/E Cycles) 100,000 typical (SLC) [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Packaging Tray —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Density — 4 Gbit (512 Mbyte)
Organizasyon — 512M x 8 bit
Veri Bus Genişliği — 8 bit
Required ECC — 4-bit ECC per 528-byte sector
Program Time (typical) — 300 us per page
Erase Time (typical) — 2 ms per block
Data Retention — 10 years
Paket — 48-pin TSOP-I (12 mm x 20 mm)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin