MT29F4G08ABADAWP-IT:D vs MX30LF4G18AC-TI-T השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MT29F4G08ABADAWP-IT:D מאת Micron Technology ו MX30LF4G18AC-TI-T מאת Macronix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
MT29F4G08ABADAWP-IT:D MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron

MT29F4G08ABADAWP-IT:D ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר MT29F4G08ABADAWP-IT:D MX30LF4G18AC-TI-T
מותג Micron Technology Macronix
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון FLASH - NAND (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
גודל זיכרון 4 Gbit (512M x 8) —
Memory Organization 512M x 8 —
ממשק Parallel (byte-wide, x8) Parallel (asynchronous), ONFI 1.0 compliant
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time (tRC) 25 ns 20 ns (typical)
ONFI Version ONFI 2.1 —
מארז / Case 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm width) —
טמפרטורת פעולה -40 C to +85 C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Page Size 2048 + 64 bytes (or 4096 + 128 bytes in ONFI 2.1) 2048 byte + 64 byte spare area
Block Size 64 pages x 4 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Planes per Die 2 —
Endurance (P/E Cycles) 100,000 typical (SLC) [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Packaging Tray —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Density — 4 Gbit (512 Mbyte)
ארגון — 512M x 8 bit
רוחב אפיק נתונים — 8 bit
Required ECC — 4-bit ECC per 528-byte sector
Program Time (typical) — 300 us per page
Erase Time (typical) — 2 ms per block
Data Retention — 10 years
מארז — 48-pin TSOP-I (12 mm x 20 mm)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר