PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BCWM Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma PDRQLAKCDF12-00 tarafından Samsung Electronics ve K4RAH165VB-BCWM tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics

PDRQLAKCDF12-00 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCWM K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre PDRQLAKCDF12-00 K4RAH165VB-BCWM
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM (volatile DRAM)
Density 16 Gbit —
Organizasyon 1G x 16 —
Veri Hızı 7200 Mbps per pin —
Speed Bin DDR5-7200 —
Operating Voltage 1.1 V —
Paket 102-ball FBGA FBGA-106
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Generation DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) —
Arayüz JEDEC DDR5 —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
tCK / Cycle Time [DATA_NEEDED: clock cycle time] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Bellek Boyutu — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Besleme Gerilimi — 1.1 V
Technology — DDR5
Maximum Data Rate (DDR5 family) — up to 7200 Mbps
On-die ECC — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Speed Grade (suffix BCWM) — [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency]
Packaging — Tray

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin