PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BCWM השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של PDRQLAKCDF12-00 מאת Samsung Electronics ו K4RAH165VB-BCWM מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | PDRQLAKCDF12-00 | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gbit | — |
| ארגון | 1G x 16 | — |
| קצב נתונים | 7200 Mbps per pin | — |
| Speed Bin | DDR5-7200 | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | — |
| מארז | 102-ball FBGA | FBGA-106 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Generation | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) | — |
| ממשק | JEDEC DDR5 | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| tCK / Cycle Time | [DATA_NEEDED: clock cycle time] | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| גודל זיכרון | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| מתח אספקה | — | 1.1 V |
| Technology | — | DDR5 |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |