AS4C512M16D4-75BIN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AS4C512M16D4-75BIN بذریعہ Alliance Memory اور MT40A512M16JY-07EAIT:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر AS4C512M16D4-75BIN MT40A512M16JY-07EAIT:B
برانڈ Alliance Memory Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz 1.33 GHz
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
پیکیج 96-FBGA (7.5x13) 96-FBGA (8x14)
آپریٹنگ درجہ حرارت -40°C to +95°C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
انٹرفیس POD Parallel
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps 2666 MT/s
پنز کی تعداد 96 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
خصوصیات Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
تنظیم — 512M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40°C to +105°C (AIT grade)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں