BSC005N03LS5IATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC005N03LS5IATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC005N03LS5IATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC005N03LS5IATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | Trench MOSFET, silicon |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 433 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) at VGS = 10 mA | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 188 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per LCSC listing) | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |