BSC011N03LSIATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC011N03LSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0504NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC011N03LSIATMA1 BSC0504NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 30 V —
Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.1 mΩ (typical) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 96 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
پیکیج PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) PG-TDSON-8-6
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant unknown
ٹرانزسٹر کی قسم — N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
پنز کی تعداد — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
گیٹ تھریشولڈ وولٹیج — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
تھرمل ریزسٹنس — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں