BSC011N03LSIATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC011N03LSIATMA1 מאת Infineon ו BSC0504NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC011N03LSIATMA1 BSC0504NSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS™ 30 V —
Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] —
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.1 mΩ (typical) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 96 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C —
מארז PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) PG-TDSON-8-6
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
סטטוס RoHS Compliant unknown
סוג טרנזיסטור — N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
מספר פינים — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
מתח סף שער — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
התנגדות תרמית — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר