BSC014N06NSATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N06S5L032ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC014N06NSATMA1 | IAUC120N06S5L032ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (60 V) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/- 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.45 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 156 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55 C to +175 C (T_j) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) | OptiMOS 5 Trench |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 120 A |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | — | 3.2 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | — | 94 W |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge Q_G | — | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] |