BSC019N06NSATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC019N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC019N04LSTATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC019N06NSATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC019N06NSATMA1 | — |
| Technology / Family | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.95 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 136 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | 1 (unlimited) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |