BSC019N06NSATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC019N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC019N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC019N06NSATMA1 | BSC019N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC019N06NSATMA1 | — |
| Technology / Family | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 100 A | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.95 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 136 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 237 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 214 W |