BSC021N08NS5ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC021N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 - 60V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC014N06NSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC021N08NS5ATMA1 BSC014N06NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC021N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) 226 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage V_GS max ±20 V —
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) 214 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Total Gate Charge Q_G typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
R_thJC thermal resistance max [DATA_NEEDED: R_thJC] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) Compliant
MSL لیول MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Delivery Form Tape & Reel (T&R) —
Product Family — OptiMOS 5
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں