BSC028N06NSTATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC028N06NSTATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC097N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC028N06NSTATMA1 BSC097N06NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5
Part Number Base BSC028N06NS —
Technology MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V to 3.5 V —
Total Gate Charge Qg 37 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] —
Output Capacitance Coss 825 pF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 56 pF —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 100 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55C to +150C
پیکیج PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
MSL لیول 1 1 (Unlimited)
AEC-Q101 Automotive Qualified [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM peak value]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
پیکیج / کیس — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں