BSC028N06NSTATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC028N06NSTATMA1 מאת Infineon ו BSC097N06NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC028N06NSTATMA1 BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 - 60V 2.8mΩ N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC028N06NSTATMA1 ✓ פעיל
Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC028N06NSTATMA1 BSC097N06NSATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5
Part Number Base BSC028N06NS —
Technology MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V to 3.5 V —
Total Gate Charge Qg 37 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] —
Output Capacitance Coss 825 pF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 56 pF —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 100 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +150C
מארז PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
נטול הלוגנים Yes —
רמת MSL 1 1 (Unlimited)
AEC-Q101 Automotive Qualified [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] —
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM peak value]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
מארז / Case — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר