BSC032N04LSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC032N04LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC011N03LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC032N04LSATMA1 | BSC011N03LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 98 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | -55 °C to +150 °C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 30 V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.1 mΩ (typical) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 96 W |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |