BSC034N06NSATMA1 vs BSC0993NDATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC034N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0993NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC034N06NSATMA1 BSC0993NDATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 trench MOSFET
پیکیج PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں