BSC039N06NSATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC039N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC039N06NSATMA1 | BSC014N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (PD) | 69 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 8 | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/- 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 30 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.45 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 156 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |