BSC076N04NDATMA1 vs IAUA220N08S5N021AUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUA220N08S5N021AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC076N04NDATMA1 | IAUA220N08S5N021AUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS-5 (75V-120V family) |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 220 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) | — | 2.1 mΩ at 10 V V_GS |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 211 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | — | [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C (Tj) |
| پیکیج | — | PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V] |
| Output Capacitance (C_oss) | — | [DATA_NEEDED: C_oss typical] |
| Thermal Resistance (R_thJC) | — | [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] |