BSC093N15NS5ATMA1 vs IQD005N04NM6CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC093N15NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD005N04NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC093N15NS5ATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 5 150V OptiMOS 6 (trench FET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
پیکیج SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
ہیلوجن فری [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RDS(on) Typical — 0.5 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 58 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 610 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating]
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 333 W
پن کی تعداد — 9
Lead-Free — Yes
Source Configuration — Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں