BSC0993NDATMA1 vs BSC0911NDATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0993NDATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0911NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC0993NDATMA1 BSC0911NDATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) Dual N-Channel (2 N-CH)
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
پیکیج PG-TISON-8 PG-TISON-8 (8-PowerTDFN)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Product Family — OptiMOS 25V
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 30 A
Power Dissipation (PD) — 1 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (junction)
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Gate Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں