BSO150N03MDGXUMA1 vs BSC0902NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSO150N03MDGXUMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0902NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSO150N03MDGXUMA1 BSC0902NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55C to +150C (Tj)
پیکیج PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
ہیلوجن فری — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں