BSP125H6433XTMA1 vs BSP125H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP125H6433XTMA1 بذریعہ Infineon اور BSP125H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 - 600V N-Ch 120mA MOSFET | Infineon

BSP125H6433XTMA1 - 600V N-Ch 120mA MOSFET | Infineon

BSP125H6433XTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP125H6433XTMA1 BSP125H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 120 mA —
Power Dissipation (PD) at TA 1.8 W —
پیکیج PG-SOT223-4 (3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Thermal Resistance RthJA [DATA_NEEDED: theta_JA on standard PCB] —
Configuration Single N-Channel MOSFET Single
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP125H6327XTSA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — SIPMOS (Small Signal Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (TJ)
Channel Mode — Enhancement
MSL لیول — 1 (Unlimited)
Qualification — Automotive / Industrial grade

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں