BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ110N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC117N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ110N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 11 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel —
Configuration Single MOSFET —
Gate Drive Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS rating] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Part Number — BSC117N08NS5ATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 50 W
پن کی تعداد — 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں