BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ110N08NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC117N08NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSZ110N08NS5ATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| تعداد پایه | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Lead-Free | — | Yes |