H5AN8G6NDJR vs H5AN8G6NAFR-PBC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix اور H5AN8G6NAFR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NDJR | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | TFBGA-96 (rectangular) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS لیٹنسی | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| خصوصیات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| انٹرفیس ٹائپ | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Composition | — | CMOS |