H5AN8G6NDJR vs MT40A1G8WE-075E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix اور MT40A1G8WE-075E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NDJR | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| CAS لیٹنسی | 22 cycles (at 3200 Mbps) | Programmable |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| خصوصیات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| میموری سائز | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |