H5TC4G63AFR-PBA vs NT5CC256M16CP-DI موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix اور NT5CC256M16CP-DI بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5TC4G63AFR-PBA | NT5CC256M16CP-DI |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Nanya Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $3.98 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps (PC3L-14900) | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | VFBGA-96 |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8, 4 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| انٹرفیس | 16-bit I/O | Differential clock (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Density | — | 4Gb |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (CL11) |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Internal Banks | — | 8 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] |
| On-Die Termination | — | Yes (programmable) |
| Process Technology | — | 70nm |