IAUA220N08S5N021AUMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUA220N08S5N021AUMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUA220N08S5N021AUMA1 IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 - 80V, 220A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA220N08S5N021AUMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUA220N08S5N021AUMA1 BSC076N04NDATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS-5 (75V-120V family) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 220 A —
Static Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)) 2.1 mΩ at 10 V V_GS —
Power Dissipation (P_D, Tc) 211 W —
Gate-Source Voltage (V_GS max) [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (Tj) —
پیکیج PG-HSOF-5-4 (7x8 mm²) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at V_GS=10V] —
Output Capacitance (C_oss) [DATA_NEEDED: C_oss typical] —
Thermal Resistance (R_thJC) [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
پیکیج / کیس — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں