IAUC100N10S5L040ATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC100N10S5L040ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6L030HATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC100N10S5L040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5L040ATMA1 ✓ فعالInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC100N10S5L040ATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOST 5 Power-Transistor (IAUC) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 4 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic Level | — |
| Continuous Power Dissipation (Tc) | 167 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (junction) | — |
| MSL Moisture Sensitivity | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| Avalanche Tested | 100% production avalanche tested | — |
| AOI Compatibility | Feasible for automatic optical inspection | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |