IAUC120N04S6L009ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC120N04S6L009ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N04S6N009ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L009ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC120N04S6L009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-6 40V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 150 A (per datasheet header) —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 0.9 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Gate Charge Q<sub>g</sub> [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation P<sub>D</sub> (T<sub>C</sub>=25°C) 150 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless, SS08) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 —
AEC-Q101 Automotive Qualification Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Avalanche Energy E<sub>AS</sub> [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
پلسڈ ڈرین کرنٹ — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں