IAUC120N04S6L009ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC120N04S6L009ATMA1 توسط Infineon و IAUC120N04S6N009ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L009ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUC120N04S6L009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-6 40V —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 150 A (per datasheet header) —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 0.9 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Gate Charge Q<sub>g</sub> [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation P<sub>D</sub> (T<sub>C</sub>=25°C) 150 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless, SS08) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 8 —
AEC-Q101 Automotive Qualification Yes —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Avalanche Energy E<sub>AS</sub> [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
جریان درین پالسی — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت