IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUC120N04S6L009ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC120N04S6N009ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N04S6L009ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ فعالInfineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 - 40V 0.9mΩ 120A OptiMOS-6 MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L009ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUC120N04S6N009ATMA1 | IAUC120N04S6L009ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 120 A | — |
| پلسڈ ڈرین کرنٹ | [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 0.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Q_g typ | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | — |
| Thermal Resistance R_thJC max | 1.0 K/W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless, SS08) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per Infineon product page) | — |
| Product Family | — | OptiMOS-6 40V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 150 A (per datasheet header) |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=100°C) | — | [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 0.9 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Gate Charge Q<sub>g</sub> | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation P<sub>D</sub> (T<sub>C</sub>=25°C) | — | 150 W |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| AEC-Q101 Automotive Qualification | — | Yes |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Avalanche Energy E<sub>AS</sub> | — | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] |