IAUCN04S7L019ATMA1 vs IAUC120N04S6L005ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7L019ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N04S6L005ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 - 40V 120A 0.55mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7L019ATMA1 | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 120 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V | 1.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-33 | PG-TDSON-8-53 (5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55°C to +175°C (junction) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] | — |
| تھرمل ریزسٹنس، جنکشن سے ایمبیئنٹ | [DATA_NEEDED: RthJA value] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | — |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| Standard Pack Quantity | 5000 pieces | — |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 (Tape & Reel 13") | — |
| Part Number | — | IAUC120N04S6L005ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 120 A (Tj) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 187 W |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 0.55 mΩ at 60 A |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | 0.85 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 177 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 11.203 nF at 25 V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.982 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 175 pF |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |