IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N027GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L050HATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7N027GATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 117 A | — |
| On-Resistance (Rds(on) max) | 2.67 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) | 70 W (Tc) | — |
| پیکیج / کیس | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy FR-4 | — |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| Technology | — | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |