IAUCN10S7L290TATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S7L290TATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L050HATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN10S7L290TATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 7 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 27 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 28.6 mΩ | 5.04 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 45 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7 mm) - top-side cooled | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| ESD Protection | HBM Class 1C (per Infineon datasheet) | — |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Technology | — | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |