IAUT300N08S5N012ATMA2 vs BSC076N06NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUT300N08S5N012ATMA2 بذریعہ Infineon اور BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUT300N08S5N012ATMA2 BSC076N06NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™-5 80 V OptiMOS 3
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +150C
پیکیج PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
ہیلوجن فری — Yes (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں