IAUT300N08S5N012ATMA2 vs BSC076N06NS3GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUT300N08S5N012ATMA2 توسط Infineon و BSC076N06NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUT300N08S5N012ATMA2 | BSC076N06NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | OptiMOS 3 |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited) |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 69 W |
| بدون هالوژن | — | Yes (per Infineon product page) |