IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC60N04S6N044ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUZN04S7L030ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6N044ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUZN04S7L030ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N044ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUZN04S7L030ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
پیکیج PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) AEC-Q101 qualified (IAUC prefix)
RoHS Compliance Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Technology — OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C — 60 A
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V — 4.4 mΩ
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C — 42 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +175°C
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں