IGD06N60TATMA1 vs IKD10N60RC2ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGD06N60TATMA1 بذریعہ Infineon اور IKD10N60RC2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ فعال
Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGD06N60TATMA1 IKD10N60RC2ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Transistors IGBTs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series TRENCHSTOP IGBT3 —
IGBT Type Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (VCE) 600 V —
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C 12 A —
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C 6 A —
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) 18 A (per datasheet) —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 88 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) ±20 V —
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C 1.5 V (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V) —
Turn-on Switching Energy (Eon) [DATA_NEEDED: Eon] —
Turn-off Switching Energy (Eoff) [DATA_NEEDED: Eoff] —
Integrated Diode Yes, soft-recovery emitter-controlled diode Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -40 °C to +175 °C —
Storage Temperature -55 °C to +150 °C —
پیکیج PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252) PG-TO252-3 (DPAK, surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Collector-Emitter Voltage (V_CE) — 600 V
Continuous Collector Current (I_C nom) — 10 A
Pulsed Collector Current (I_Cp) — 18.8 A
Maximum Power Dissipation (P_tot) — 79 W
Technology — TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40 C to +175 C (junction)
Gate-Emitter Voltage (V_GE) — [DATA_NEEDED: recommended V_GE value]
V_CE(sat) at I_C — [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)]
Switching Frequency (typical) — 10 - 30 kHz (hard-switching)
Short-Circuit Withstand Time — [DATA_NEEDED: t_sc rating]
Qualification — Industrial (qualified per Infineon product validation)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں