IKD10N60RC2ATMA1 vs IGD06N60TATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IKD10N60RC2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IGD06N60TATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IKD10N60RC2ATMA1 IGD06N60TATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ IGBTs Transistors
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Collector-Emitter Voltage (V_CE) 600 V —
Continuous Collector Current (I_C nom) 10 A —
Pulsed Collector Current (I_Cp) 18.8 A —
Maximum Power Dissipation (P_tot) 79 W —
Technology TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode) —
Integrated Diode Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed Yes, soft-recovery emitter-controlled diode
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 C to +175 C (junction) —
Gate-Emitter Voltage (V_GE) [DATA_NEEDED: recommended V_GE value] —
V_CE(sat) at I_C [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)] —
Switching Frequency (typical) 10 - 30 kHz (hard-switching) —
Short-Circuit Withstand Time [DATA_NEEDED: t_sc rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Qualification Industrial (qualified per Infineon product validation) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — TRENCHSTOP IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C — 12 A
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C — 6 A
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) — 18 A (per datasheet)
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 88 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — ±20 V
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C — 1.5 V (typical)
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V)
Turn-on Switching Energy (Eon) — [DATA_NEEDED: Eon]
Turn-off Switching Energy (Eoff) — [DATA_NEEDED: Eoff]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -40 °C to +175 °C
Storage Temperature — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں