IKD10N60RC2ATMA1 vs IGD06N60TATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IKD10N60RC2ATMA1 bằng Infineon và IGD06N60TATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 - 600V 10A RC2 IGBT w/ Diode | Infineon

IKD10N60RC2ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IKD10N60RC2ATMA1 IGD06N60TATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục IGBTs Transistors
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Collector-Emitter Voltage (V_CE) 600 V —
Continuous Collector Current (I_C nom) 10 A —
Pulsed Collector Current (I_Cp) 18.8 A —
Maximum Power Dissipation (P_tot) 79 W —
Technology TRENCHSTOP RC2 (Trench Field Stop IGBT with monolithically integrated diode) —
Integrated Diode Yes - reverse-conducting 2-diode co-packed Yes, soft-recovery emitter-controlled diode
Hộp PG-TO252-3 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40 C to +175 C (junction) —
Gate-Emitter Voltage (V_GE) [DATA_NEEDED: recommended V_GE value] —
V_CE(sat) at I_C [DATA_NEEDED: typical V_CE(sat)] —
Switching Frequency (typical) 10 - 30 kHz (hard-switching) —
Short-Circuit Withstand Time [DATA_NEEDED: t_sc rating] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial (qualified per Infineon product validation) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — TRENCHSTOP IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C — 12 A
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C — 6 A
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) — 18 A (per datasheet)
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 88 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — ±20 V
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C — 1.5 V (typical)
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V)
Turn-on Switching Energy (Eon) — [DATA_NEEDED: Eon]
Turn-off Switching Energy (Eoff) — [DATA_NEEDED: Eoff]
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -40 °C to +175 °C
Storage Temperature — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá