IPB020N10N5ATMA1 vs BSC050NE2LSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB020N10N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC050NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB020N10N5ATMA1 | BSC050NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPB020N10N5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 25V (trench) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 120 A | — |
| Maximum Drain Current (ID max, per Infineon product page) | 176 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 375 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK-3) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55C to +150C |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Packaging | Tape & Reel (ATMA1 suffix) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | — | 39 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 5 mOhm |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 28 W |