IPB081N06L3GATMA1 vs IPB021N10NM5LF2ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB081N06L3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB021N10NM5LF2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB081N06L3GATMA1 | IPB021N10NM5LF2ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 8.1 mOhm typical | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 79 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (junction) | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 3 | — |
| Pin Configuration | Gate / Drain / Source (D2PAK standard) | — |
| Technology | OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET) | OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Linear FET 2 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 176 A |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C | — | 30 A |
| R_DS(on) Maximum | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum | — | ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 375 W |
| Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C | — | 3.8 W |
| Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) | — | 10 V, 15 V |