IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB100N12S305ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB100N04S4H2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB100N12S305ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N12S305ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance Compliant (Green Product) RoHS Compliant (Green Product)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Power MOSFET
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) — 100 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 300 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) — 4.8 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) — 185 nC
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C (TJ)
پیکیج / کیس — PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount)
پنز کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
نمی حساسیت کی سطح (MSL) — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں