IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB100N12S305ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB100N04S4H2ATMA1 توسط Infineon و IPB100N12S305ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 - 120V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPB100N12S305ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N12S305ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) —
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance Compliant (Green Product) RoHS Compliant (Green Product)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Power MOSFET
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) — 100 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 300 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) — 4.8 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) — 185 nC
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C (TJ)
بسته‌بندی / کیس — PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount)
تعداد پین‌ها — 3 (Gate, Drain, Source)
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت