IPB60R280P7ATMA1 vs IPA60R180P7SXKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPA60R180P7SXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 - 600V CoolMOS P7 180mOhm MOSFET | Infineon

IPA60R180P7SXKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB60R280P7ATMA1 IPA60R180P7SXKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.88 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO220-3-312 (Through-Hole, 3 leads)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (T_j max) -55C to +150C (junction)
Configuration Single N-Channel Single
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS P7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 180 mOhm (max at 25C)
Power Dissipation (PD) at Tc — 26 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Channel Type — N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں