IPC50N04S55R8ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPC50N04S55R8ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC50N04S5L5R5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 50 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc 42 W —
R_DS(on) Max (V_GS=10V) 5.8 mΩ —
Output Capacitance (C_oss) 305 pF —
Gate Threshold (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested
RoHS / Green RoHS compliant, Green Product —
Polarity Enhancement Mode —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں