IPD034N06N3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD034N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD034N06N3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm 7.6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] ±20 V
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free green finish) —
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
RoHS Compliance — Compliant
ہیلوجن فری — Yes (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں